2023年长沙市新一代半导体和集成电路产业奖励补贴政策及申报条件材料整理，有申报文中提及的奖补扶持项目需求的，直接联系小编咨询就可以了。
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一、申报主体
本细则适用于在长沙市注册经营并依法纳税，具有独立法人资格、健全财务制度、实行独立核算的主要从事新一代半导体和集成电路产业的各类企业，事业单位、组织以及专业公共服务机构（以下简称“企业”）。除列入“信用湖南网”和“信用长沙网”信用黑名单的项目申报单位外，其他符合政策规定条件的主体均能享受本政策支持。
二、申报类别、条件和材料
（一）MPW（多项目晶圆）试流片、全掩膜（FULL MASK）工程产品首次流片补贴。
申报条件：企业上一自然年度参加了MPW项目，或进行了工程产品首次流片。其中，“工程产品”是指经过全掩膜板（Full Mask）流片，达到设计要求后，可以提供给集成电路系统整机厂商进行芯片性能测试及示范应用的芯片产品。
申报材料：（1）企业基本情况。（2）统一社会信用代码证。（3）MPW试流片或Full Mask工程产品流片的情况说明（产品主要功能及用途、技术指标及先进性、与公司其他相关产品的差异说明等）;其中，企业工程流片须提供首轮流片费用的证明材料。（4）与晶圆制造厂（或代理公司、经认定的公共服务平台）签订的MPW试流片或Full Mask工程流片合同、发票、转账凭证等相关材料。由境外晶圆制造厂（或代理公司）进行流片的，须提供中英文合同、形式发票和转账凭证、芯片入库单等。（5）流片产品的知识产权证书（布图登记证书或其他与之相关的授权专利）。（6）申报企业及其法人代表对申报材料的真实性及不重复申报承诺。
（二）IP核购买费用补贴。
申报条件：（1）企业上一自然年度直接购买IP（知识产权）并用于研发。（2）卖方应为知名专业IP提供商或者晶圆代工厂。
申报材料：（1）企业基本情况，购置IP的相关情况。（2）统一社会信用代码证。（3）购置IP明细表，相关合同、发票、转账凭证等;境外购买IP的须提供中英文合同文本、形式发票、转账凭证等。（4）企业提供被采购方为知名专业IP提供商或晶圆代工厂的证明材料（具体为：①供应商为专业IP提供商时，供应商为上市公司的，不需提供证明材料，供应商为非上市公司，企业提供供应商上一自然年度IP授权收益大于等于1000万元的证明材料；②供应商为晶圆代工厂时，供应商为上市公司的，不需提供证明材料，供应商为非上市公司的，企业提供供应商上一自然年度晶圆销售大于等于100万片的证明材料）。（5）申报企业及其法人代表对申报材料的真实性承诺及不重复申报承诺。
申报类别（一）和（二）支持方式：经认定，对同一设计型号MPW试流片Z高按企业实际交易额60%给予企业补贴，全掩膜板（Full Mask）工程产品首次流片Z高按照型号产品首次流片费用的50%给予企业补贴，给予不高于直接购买IP直接费用50%的补贴。单个企业以上3类补贴合计每年Z高不超过500万元。
（三）采购市内企业生产的材料、芯片、关键零部件及设备的补贴。
申报条件：（1）企业采购本市新一代半导体和集成电路企业生产的材料、芯片、关键零部件及设备，且采购的产品已用于企业研发、生产等环节。（2）被采购企业的产品应拥有自主知识产权（包括不限于专利权、集成电路布图设计专有权等）。
申报材料：（1）企业基本情况、企业所购产品情况以及产品在企业研发和生产等方面的应用情况。（2）采购企业与被采购企业统一社会信用代码证。（3）交易双方企业股东信息的证明材料，申报企业及企业法人代表对交易双方企业无关联关系的承诺。（4）上一自然年度内采购产品明细表，以及采购合同、发票及银行划款凭证（发票及银行划款凭证时间均需在申报时限内），以及企业所购产品用于研发和生产的证明材料。（5）被采购企业产品自主知识产权的证明。（6）申报企业及其法人代表对申报材料的真实性及不重复申报承诺。
支持方式：经认定，按不高于采购金额的10%给予企业补贴，单个企业Z高不超过500万元。
（四）应用示范研发奖励。
申报条件：（1）拥有自主可靠核心技术的微处理器、存储器、安全芯片、北斗导航基带和射频芯片、工业控制系统类芯片等集成电路产品应用产业化及示范；拥有传感、通信、导航、处理、控制、电源管理芯片和功率器件等5G、智能终端、智能网联关键芯片技术、产品或服务。（2）项目前期工作完备，资金基本落实到位，项目已建成并投入使用。（3）项目实际发生投资（包括软件、硬件、系统集成等采购费用以及项目研发人力成本等，不含土地价款）总额不少于1000万元。
    申报材料：（1）申报单位基本情况，项目主要内容及建设与应用情况。（2）项目建设采用核心集成电路产品的知识产权证明、检测报告、生产许可、获奖证书、国家或省有关批复文件等。（3）项目资金证明材料，包括项目建设决算报告、采购清单和购置发票、贴花的项目建设专项审计报告（研发费用须单列）等。（4）统一社会信用代码证。（5）申报企业及其法人代表对申报材料的真实性及不重复申报承诺。
支持方式：经认定，Z高给予示范应用项目技术、产品及服务提供商实际研发投入30%的奖励，单个企业每年不超过200万元。
（五）企业高级管理、技术人才奖励。
申报条件：（1）奖励对象为长沙新一代半导体和集成电路企业高级管理、技术人才。（2）人才上一自然年度工资薪金收入个人所得税实缴1万元以上（含）。（3）人才未获得过此项奖励的。
申报材料：（1）人才所在单位基本情况，人才基本情况及贡献情况介绍。（2）人才合同和薪资明细。（3）人才税收证明材料。（4）申报企业及其法人代表对申报材料的真实性及不重复申报承诺。
支持方式：经认定，一次性给予高级管理、技术人才上一自然年度个人所得税实缴金额市区两级实得部分100%的奖励。
（六）平台招商奖励。
申报条件：上一自然年度，平台招商签约落地长沙的新一代半导体和集成电路企业项目达10家（其中设计类企业研发设计人员不低于20人，购地类项目实际固定资产投资不低于5000万元（扣除土地价款））。
申报材料：（1）申报单位基本情况，签约落地长沙项目基本情况。（2）招商项目真实、准确情况，设计类企业项目需提供上一自然年度企业参保证明和研发人员学历及研究成果等证明，购地类企业项目需提供经审计的上一年度固定资产核算表。（3）签约落地长沙企业的统一社会信用代码证。（4）申报单位及其法人代表对申报材料的真实性及不重复申报承诺。
支持方式：经认定，对符合条件的平台的运营单位给予200万元奖励，对招商签约落地企业项目超过10家的（项目规模需符合申报条件），每超过1家增加20万元奖励，每个平台Z高500万元。
（七）新落户企业奖励。
申报条件：（1）在2019年10月1日后新落户长沙（在长沙完成独立法人工商登记）的国内外新一代半导体和集成电路企业。（2）企业实际到位资金额1亿元（含）以上。
    申报材料：（1）项目资金申请报告。资金申请报告正文包括以下内容：①企业基本情况;项目的基本情况，主要包括建设背景、建设地点、建设内容、技术工艺、总投资及资金来源，以及各项建设条件落实情况等;②技术工艺情况，包括技术工艺创新点、主要指标与国内外同类技术产品比较、知识产权情况等;③产品市场调查和需求测算;新增投资估算和资金筹措（需明确投资构成和测算依据）;经济社会效益分析。（2）统一社会信用代码证。（3）贴花的验资报告、上一自然年度的固定资产投资审计报告（内容包括厂房、土地、各种设备等资产使用明细、对应生产的实物工作量等）。（4）申报单位及其法人代表对申报材料的真实性及不重复申报承诺。
支持方式：对企业首次达到申报条件资金标准时的实收资本进行核定，Z高按企业实收资本的5%给予奖励，按4:3:3分3年兑现，单个企业Z高2000万元。
（八）新一代半导体和集成电路领域高端人才（团队）来长创新创业奖励。
申报条件：（1）高端人才（团队）不少于10人，其中新一代半导体和集成电路领域博士不少于3人，团队负责人列入国家和省级人才计划的优先支持。（2）高端人才（团队）有成熟技术、产品或服务，其技术、产品或服务在不少于5家单位应用并取得良好效果的优先支持。（3）高端人才（团队）拥有新一代半导体和集成电路领域核心自主知识产权，相关专利或软件著作权不少于10项，其中发明专利不少于3项，参与行业或团体标准的单位优先支持。
申报材料：（1）新一代半导体和集成电路领域高端人才（团队）基本情况，附申报团队成员有效身份证明、劳动合同（聘用合同）、学历学位证书、职称证书。（2）创办企业证明材料（统一社会信用代码证、验资报告、公司章程及股权构成等）、主要成果证明材料（专利证书、产品证书、奖励证书、代表性论著等）。（3）申报单位及其法人代表对申报材料的真实性及不重复申报承诺。
支持方式：经认定，依照专家评审结果以股权投资和资金补助结合的方式给予每个高端人才（团队）项目Z高1000万元资金支持。
（九）新一代半导体和集成电路领域高端人才（团队）创办的企业经营贡献奖励。
申报条件：（1）已经认定为长沙市新一代半导体和集成电路领域高端人才（团队）。（2）高端人才（团队）所在企业经营情况良好，利润率为正。
申报材料：（1）长沙市新一代半导体和集成电路领域高端人才（团队）证明材料。（2）企业上年度企业所得税完税证明材料。（3）申报企业及高端人才（团队）参保证明及劳动合同。
支持方式：依据企业地方经济社会发展贡献，按照“先缴后补”模式，给予企业连续三年市区两级实得部分100%的奖励。每家企业每年申报一次，每年Z高500万元。